물리는 무리야

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Czochralski법 1

[Chapter 1] 1.3 반도체 결정의 성장(1)

안녕하세요 물리는 무리야 입니다. 반도체는 2차 세계대전 중 레이더 시스템이 개발되면서 집중적인 연구가 시작되었습니다. 고순도의 Ge 결정의 개발이 반도체 연구에 시작점이었다고 할 수 있습니다. 현재는 순수한 단결정 Si의 성장이 반도체 산업의 기본이 되는 중요한 역할을 하고 있습니다. 자연상에는 Si가 SiO2의 형태로 존재하고 있습니다. SiO2를 매우 높은 온도(~1800℃)로 코크상태 탄소와 반응시킨다. SiO2 + 2C → Si +2CO 이를 통해 만들어진 Si는 MGS(metallurgical grade silicon)입니다. Fe와 Al과 같은 무거운 금속 불순물이 몇 백에서 몇 천 ppm수준 으로 함유되어 전기적인 응용에 적합할 만큼 충분히 순수하지 않고, 단결정이 아니기 때문에 불순물 수..

고체전자공학 2022.12.29
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점자물리학, 결정격자, 에피택셜 성장, 에너지 밴드, 잉곳, 에너지 준위, energy band, 2차결합, 전자물리학, 보어모형, crystalline, 초크랄스키법, Czochralski법, 러더퍼드모형, 에피택시, 다이아몬드 결정 격자, 원소반도체, 반도체, 고체전자공학, 결정성장,

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